Память AMD 4GB DDR4 2666MHz (R744G2606U1S-UO) Performance Series, 1.2V, Non-ECC, CL16, Bulk
1050 ₽
Память AMD 4GB DDR4 2666MHz (R744G2606U1S-UO) Performance Series, 1.2V, Non-ECC, CL16, Bulk
Характеристики
CL (Оперативная память)16 | tRAS (Оперативная память)35 | tRCD (Оперативная память)18 |
tRP (Оперативная память)18 | Количество контактов (Оперативная память)288 | Количество модулей в комплекте (Оперативная память)1 шт. |
Линейка (Оперативная память)Radeon R7 Performance | Напряжение питания (Оперативная память)1.2 В | Объем одного модуля (Оперативная память)4 ГБ |
Нашли дешевле?
Описание
тип: DDR4, объем одного модуля: 4 ГБ, тактовая частота: 2666 МГц, форм-фактор: DIMM, количество модулей в комплекте: 1 шт., CL: 16, особенности: Unregistered
Технические характеристики Память AMD 4GB DDR4 2666MHz (R744G2606U1S-UO) Performance Series, 1.2V, Non-ECC, CL16, Bulk
Основные характеристики
CL (Оперативная память) | 16 |
---|---|
tRAS (Оперативная память) | 35 |
tRCD (Оперативная память) | 18 |
tRP (Оперативная память) | 18 |
Количество контактов (Оперативная память) | 288 |
Количество модулей в комплекте (Оперативная память) | 1 шт. |
Линейка (Оперативная память) | Radeon R7 Performance |
Напряжение питания (Оперативная память) | 1.2 В |
Объем одного модуля (Оперативная память) | 4 ГБ |
Особенности (Оперативная память) | Unregistered |
Производитель (Оперативная память) | AMD |
Пропускная способность (Оперативная память) | PC21300 |
Раздел (Оперативная память) | Электроника |
Тактовая частота (Оперативная память) | 2666 МГц |
Тип (Оперативная память) | DDR4 |
Форм-фактор (Оперативная память) | DIMM |
Вопросы и ответы 0
-
Еще не было вопросов