Модуль памяти Silicon Power 8GB 3200МГц DDR4 CL22 SODIMM 1Gx8 SR
1850 ₽
Модуль памяти Silicon Power 8GB 3200МГц DDR4 CL22 SODIMM 1Gx8 SR
Характеристики
CL (Оперативная память)22 | Количество контактов (Оперативная память)260 | Количество модулей в комплекте (Оперативная память)1 шт. |
Напряжение питания (Оперативная память)1.2 В | Объем одного модуля (Оперативная память)8 ГБ | Производитель (Оперативная память)Silicon Power |
Пропускная способность (Оперативная память)PC25600 | Раздел (Оперативная память)Электроника | Тактовая частота (Оперативная память)3200 МГц |
Нашли дешевле?
Описание
тип: DDR4, объем одного модуля: 8 ГБ, тактовая частота: 3200 МГц, форм-фактор: SODIMM, количество модулей в комплекте: 1 шт., CL: 22
Технические характеристики Модуль памяти Silicon Power 8GB 3200МГц DDR4 CL22 SODIMM 1Gx8 SR
Основные характеристики
CL (Оперативная память) | 22 |
---|---|
Количество контактов (Оперативная память) | 260 |
Количество модулей в комплекте (Оперативная память) | 1 шт. |
Напряжение питания (Оперативная память) | 1.2 В |
Объем одного модуля (Оперативная память) | 8 ГБ |
Производитель (Оперативная память) | Silicon Power |
Пропускная способность (Оперативная память) | PC25600 |
Раздел (Оперативная память) | Электроника |
Тактовая частота (Оперативная память) | 3200 МГц |
Тип (Оперативная память) | DDR4 |
Форм-фактор (Оперативная память) | SODIMM |
Вопросы и ответы 0
-
Еще не было вопросов