Модуль памяти Silicon Power 4GB 2666МГц DDR4 CL19 SODIMM
1300 ₽
Модуль памяти Silicon Power 4GB 2666МГц DDR4 CL19 SODIMM
Заканчивается
Характеристики
| CL (Оперативная память)19 | Количество контактов (Оперативная память)260 | Количество модулей в комплекте (Оперативная память)1 шт. |
| Напряжение питания (Оперативная память)1.2 В | Объем одного модуля (Оперативная память)4 ГБ | Особенности (Оперативная память)Unregistered |
| Производитель (Оперативная память)Silicon Power | Пропускная способность (Оперативная память)PC21300 | Раздел (Оперативная память)Электроника |
Нашли дешевле?
Описание
тип: DDR4, объем одного модуля: 4 ГБ, тактовая частота: 2666 МГц, форм-фактор: SODIMM, количество модулей в комплекте: 1 шт., CL: 19, особенности: Unregistered
Технические характеристики Модуль памяти Silicon Power 4GB 2666МГц DDR4 CL19 SODIMM
Основные характеристики
| CL (Оперативная память) | 19 |
|---|---|
| Количество контактов (Оперативная память) | 260 |
| Количество модулей в комплекте (Оперативная память) | 1 шт. |
| Напряжение питания (Оперативная память) | 1.2 В |
| Объем одного модуля (Оперативная память) | 4 ГБ |
| Особенности (Оперативная память) | Unregistered |
| Производитель (Оперативная память) | Silicon Power |
| Пропускная способность (Оперативная память) | PC21300 |
| Раздел (Оперативная память) | Электроника |
| Тактовая частота (Оперативная память) | 2666 МГц |
| Тип (Оперативная память) | DDR4 |
| Форм-фактор (Оперативная память) | SODIMM |
Вопросы и ответы 0
-
Еще не было вопросов
