Модуль памяти QUMO SO-DIMM DDR-III 4GB QUMO 1600MHz PC-12800 512x8 CL11 1.35 V (QUM3S-4G1600C11L)
850 ₽
Модуль памяти QUMO SO-DIMM DDR-III 4GB QUMO 1600MHz PC-12800 512x8 CL11 1.35 V (QUM3S-4G1600C11L)
Характеристики
| CL (Оперативная память)11 | tRAS (Оперативная память)30 | tRCD (Оперативная память)11 |
| tRP (Оперативная память)11 | Количество контактов (Оперативная память)204 | Количество модулей в комплекте (Оперативная память)1 шт. |
| Количество чипов каждого модуля (Оперативная память)8 | Напряжение питания (Оперативная память)1.35 В | Объем одного модуля (Оперативная память)4 ГБ |
Нашли дешевле?
Описание
тип: DDR3L, объем одного модуля: 4 ГБ, тактовая частота: 1600 МГц, форм-фактор: SODIMM, количество модулей в комплекте: 1 шт., CL: 11, особенности: Unregistered
Технические характеристики Модуль памяти QUMO SO-DIMM DDR-III 4GB QUMO 1600MHz PC-12800 512x8 CL11 1.35 V (QUM3S-4G1600C11L)
Основные характеристики
| CL (Оперативная память) | 11 |
|---|---|
| tRAS (Оперативная память) | 30 |
| tRCD (Оперативная память) | 11 |
| tRP (Оперативная память) | 11 |
| Количество контактов (Оперативная память) | 204 |
| Количество модулей в комплекте (Оперативная память) | 1 шт. |
| Количество чипов каждого модуля (Оперативная память) | 8 |
| Напряжение питания (Оперативная память) | 1.35 В |
| Объем одного модуля (Оперативная память) | 4 ГБ |
| Особенности (Оперативная память) | Unregistered |
| Производитель (Оперативная память) | Qumo |
| Пропускная способность (Оперативная память) | PC12800 |
| Раздел (Оперативная память) | Электроника |
| Тактовая частота (Оперативная память) | 1600 МГц |
| Тип (Оперативная память) | DDR3L |
| Упаковка чипов (Оперативная память) | двусторонняя |
| Форм-фактор (Оперативная память) | SODIMM |
Вопросы и ответы 0
-
Еще не было вопросов
