Модуль памяти Kingston DRAM 16GB 3200MHz DDR4 ECC Reg CL22 DIMM 2Rx8 Hynix D Rambus EAN: 740617308112
7200 ₽
Модуль памяти Kingston DRAM 16GB 3200MHz DDR4 ECC Reg CL22 DIMM 2Rx8 Hynix D Rambus EAN: 740617308112
Характеристики
CL (Оперативная память)22 | tRAS (Оперативная память)32 | tRCD (Оперативная память)22 |
tRP (Оперативная память)22 | Количество контактов (Оперативная память)288 | Количество модулей в комплекте (Оперативная память)1 шт. |
Количество рангов (Оперативная память)2 | Количество чипов каждого модуля (Оперативная память)19 | Напряжение питания (Оперативная память)1.2 В |
Нашли дешевле?
Описание
тип: DDR4, объем одного модуля: 16 ГБ, тактовая частота: 3200 МГц, форм-фактор: DIMM, количество модулей в комплекте: 1 шт., CL: 22, особенности: ECC, Registered
Технические характеристики Модуль памяти Kingston DRAM 16GB 3200MHz DDR4 ECC Reg CL22 DIMM 2Rx8 Hynix D Rambus EAN: 740617308112
Основные характеристики
CL (Оперативная память) | 22 |
---|---|
tRAS (Оперативная память) | 32 |
tRCD (Оперативная память) | 22 |
tRP (Оперативная память) | 22 |
Количество контактов (Оперативная память) | 288 |
Количество модулей в комплекте (Оперативная память) | 1 шт. |
Количество рангов (Оперативная память) | 2 |
Количество чипов каждого модуля (Оперативная память) | 19 |
Напряжение питания (Оперативная память) | 1.2 В |
Объем одного модуля (Оперативная память) | 16 ГБ |
Особенности (Оперативная память) | ECC, Registered |
Производитель (Оперативная память) | Kingston |
Пропускная способность (Оперативная память) | PC25600 |
Раздел (Оперативная память) | Электроника |
Тактовая частота (Оперативная память) | 3200 МГц |
Тип (Оперативная память) | DDR4 |
Упаковка чипов (Оперативная память) | двусторонняя |
Форм-фактор (Оперативная память) | DIMM |
Вопросы и ответы 0
-
Еще не было вопросов