Модуль памяти 4GB AMD Radeon™ DDR4 2666 SO DIMM R7 Performance Series Black R744G2606S1S-UO Non-ECC, CL16, 1.2V, Bulk
1100 ₽
Модуль памяти 4GB AMD Radeon™ DDR4 2666 SO DIMM R7 Performance Series Black R744G2606S1S-UO Non-ECC, CL16, 1.2V, Bulk
Характеристики
| CL (Оперативная память)16 | tRAS (Оперативная память)36 | tRCD (Оперативная память)16 |
| tRP (Оперативная память)16 | Количество контактов (Оперативная память)260 | Количество модулей в комплекте (Оперативная память)1 шт. |
| Количество рангов (Оперативная память)1 | Количество чипов каждого модуля (Оперативная память)8 | Линейка (Оперативная память)Radeon R7 Performance |
Нашли дешевле?
Описание
тип: DDR4, объем одного модуля: 4 ГБ, тактовая частота: 2666 МГц, форм-фактор: SODIMM, количество модулей в комплекте: 1 шт., CL: 16, особенности: Registered, Unregistered
Технические характеристики Модуль памяти 4GB AMD Radeon™ DDR4 2666 SO DIMM R7 Performance Series Black R744G2606S1S-UO Non-ECC, CL16, 1.2V, Bulk
Основные характеристики
| CL (Оперативная память) | 16 |
|---|---|
| tRAS (Оперативная память) | 36 |
| tRCD (Оперативная память) | 16 |
| tRP (Оперативная память) | 16 |
| Количество контактов (Оперативная память) | 260 |
| Количество модулей в комплекте (Оперативная память) | 1 шт. |
| Количество рангов (Оперативная память) | 1 |
| Количество чипов каждого модуля (Оперативная память) | 8 |
| Линейка (Оперативная память) | Radeon R7 Performance |
| Напряжение питания (Оперативная память) | 1.2 В |
| Объем одного модуля (Оперативная память) | 4 ГБ |
| Особенности (Оперативная память) | Registered, Unregistered |
| Производитель (Оперативная память) | AMD |
| Пропускная способность (Оперативная память) | PC21300 |
| Раздел (Оперативная память) | Электроника |
| Тактовая частота (Оперативная память) | 2666 МГц |
| Тип (Оперативная память) | DDR4 |
| Форм-фактор (Оперативная память) | SODIMM |
Вопросы и ответы 0
-
Еще не было вопросов
Вы смотрели
